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STF8NM60ND中文資料N-channel 600 V, 0.59 Ω, 7 A, FDmesh?2;2; II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, IPAK, DPAK數(shù)據(jù)手冊ST規(guī)格書

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廠商型號

STF8NM60ND

功能描述

N-channel 600 V, 0.59 Ω, 7 A, FDmesh?2;2; II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, IPAK, DPAK

制造商

ST STMicroelectronics

中文名稱

意法半導體 意法半導體集團

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-9-9 11:39:00

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STF8NM60ND規(guī)格書詳情

描述 Description

The FDmesh? II series belongs to the second generation of MDmesh? technology. This revolutionary Power MOSFET associates a new vertical structure to the company?s strip layout and associates all advantages of reduced onresistance and fast switching with an intrinsic fastrecovery body diode.Strongly recommended for bridge topologies, in ZVS phase-shift converters.

特性 Features

The worldwide best R
DS(on)* area amongst the fast recovery diode devices
Low input capacitance and gate charge
100% avalanche tested
Extremely high dv/dt and avalanche capabilities
Low gate input resistance

技術(shù)參數(shù)

  • 型號:

    STF8NM60ND

  • 功能描述:

    MOSFET NCH 6V 7A FDMESH FDMesh

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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