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STF19NM65N中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

STF19NM65N
廠商型號

STF19NM65N

功能描述

N-channel 650 V - 0.25 廓 - 15.5 A - TO-220/FP-D2/I2PAK-TO-247 second generation MDmesh??Power MOSFET

文件大小

532.84 Kbytes

頁面數(shù)量

19

生產(chǎn)廠商

STMICROELECTRONICS

中文名稱

意法半導(dǎo)體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

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更新時間

2025-9-9 14:07:00

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STF19NM65N規(guī)格書詳情

描述 Description

This series of devices implements the second generation of MDmesh? Technology. This revolutionary Power MOSFET associates a new vertical structure to the Company’s strip layout to yield one of the world’s lowest on-resistance and gate charge. It is therefore suitable for the most demanding high efficiency converters

特性 Features

■ 100 avalanche tested

■ Low input capacitance and gate charge

■ Low gate input resistance

Application

■ Switching applications

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    STF19NM65N

  • 功能描述:

    MOSFET N-Channel 650V 0.25 Ohms 15.5A

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ST
2025+
TO-220
3550
全新原廠原裝產(chǎn)品、公司現(xiàn)貨銷售
詢價
ST
24+
TO220ISOFULLPACK
8866
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ST
19+
TO-220F
11326
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ST
22+
TO2203
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
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