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STF18N60DM2中文資料意法半導體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

STF18N60DM2
廠商型號

STF18N60DM2

功能描述

N-channel 600 V, 0.260 typ., 12 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP package

文件大小

456.47 Kbytes

頁面數(shù)量

12

生產廠商

STMICROELECTRONICS

中文名稱

意法半導體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-10 20:00:00

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STF18N60DM2規(guī)格書詳情

特性 Features

? Fast-recovery body diode

? Extremely low gate charge and input capacitance

? Low on-resistance

? 100 avalanche tested

? Extremely high dv/dt ruggedness

? Zener-protected

描述 Description

This high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh DM2 fastrecovery

diode series. It offers very low recovery charge (Qrr) and time (trr) combined

with low RDS(on), rendering it suitable for the most demanding high-efficiency

converters and ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.

Applications

? Switching applications

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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