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STF11N52K3中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

STF11N52K3
廠商型號(hào)

STF11N52K3

功能描述

N-channel 525 V, 0.41 ohm, 10 A SuperMESH3 Power MOSFET

文件大小

1.16073 Mbytes

頁(yè)面數(shù)量

20 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱(chēng)

意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
STMICROELECTRONICS
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-3 8:24:00

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STF11N52K3規(guī)格書(shū)詳情

描述 Description

These devices are N-channel Power MOSFETs made using the SuperMESH3? technology that is obtained via improvements applied to STMicroelectronics’ SuperMESH? technology combined with a new optimized vertical structure. The resulting transistor has an extremely low on resistance, superior dynamic performance and high avalanche capability, making it especially suitable for the most demanding applications.

特性 Features

■ 100 avalanche tested

■ Extremely high dv/dt capability

■ Gate charge minimized

■ Very low intrinsic capacitance

■ Improved diode reverse recovery characteristics

■ Zener-protected

Applications

■ Switching applications

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    STF11N52K3

  • 功能描述:

    MOSFET N-channel 525 V 0.41 Ohm, 10 A SuperMESH3

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
STMicroelectronics
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