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STD9NM40N

N-channel 400 V, 0.73 廓 typ., 5.6 A MDmesh??II Power MOSFET in DPAK and TO-220 packages

Description ThesedevicesareN-channelPowerMOSFETsdevelopedusingthesecondgenerationofMDmesh?technology.ThisrevolutionaryPowerMOSFETassociatesaverticalstructuretothecompany’sstriplayouttoyieldoneoftheworld’sloweston-resistanceandgatecharge.Itisthereforesuitab

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

STD9NM40N

Marking：DPAK；Package：TO-252；isc N-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

STP9NM40N

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ?DrainCurrent–ID=22.4A@TC=25℃ ?DrainSourceVoltage- :VDSS=400V(Min) ?StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=790mΩ(Max) ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ?Switching

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

STP9NM40N

N-channel400V,0.73廓typ.,5.6AMDmesh??IIPowerMOSFETinDPAKandTO-220packages

Description ThesedevicesareN-channelPowerMOSFETsdevelopedusingthesecondgenerationofMDmesh?technology.ThisrevolutionaryPowerMOSFETassociatesaverticalstructuretothecompany’sstriplayouttoyieldoneoftheworld’sloweston-resistanceandgatecharge.Itisthereforesuitab

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

詳細參數(shù)

  • 型號：

    STD9NM40N

  • 功能描述：

    MOSFET N-Ch 400V 0.73Ohm 5.6A pwr Mdmesh II

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
ST/意法
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TO-252
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ST/意法全新特價STD9NM40N即刻詢購立享優(yōu)惠#長期有貨
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更多STD9NM40N供應商 更新時間2025-7-17 18:18:00

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