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STD7ANM60N中文資料N溝道600 V、5 A、0.84 Ohm典型值MDmesh(TM) II功率MOSFET，DPAK封裝數(shù)據(jù)手冊ST規(guī)格書
| 廠商型號 |
STD7ANM60N |
| 功能描述 | N溝道600 V、5 A、0.84 Ohm典型值MDmesh(TM) II功率MOSFET，DPAK封裝 |
| 制造商 | ST STMicroelectronics |
| 中文名稱 | 意法半導(dǎo)體 意法半導(dǎo)體集團(tuán) |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時(shí)間 | 2025-9-9 20:12:00 |
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描述 Description
This device is an N-channel Power MOSFET developed using the second generation of MDmesh technology. This revolutionary Power MOSFET associates a vertical structure to the company’s strip layout to yield one of the world’s lowest on-resistance and gate charge. It is therefore suitable for the most demanding high efficiency converters.
特性 Features
? AEC-Q101 qualified
? 100% avalanche tested
? Low input capacitance and gate charge
? Low gate input resistance
技術(shù)參數(shù)
- 制造商編號
：STD7ANM60N
- 生產(chǎn)廠家
：ST
- Package
：DPAK
- Grade
：Automotive
- VDSS(V)
：600
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.9
- Drain Current (Dc)_max(A)
：5
- PTOT_max(W)
：45
- Qg_typ(nC)
：14
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
25+ |
TO252 |
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