STD30NE06中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
STD30NE06規(guī)格書詳情
DESCRIPTION
This Power Mosfet is the latest development of SGS-THOMSON unique Single Feature Size? strip-based process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low on-resistance, rugged avalance characteristics and less critical alignment steps therefore a remarkable manufacturing reproducibility.
■ TYPICAL RDS(on) = 0.025 ?
■ EXCEPTIONAL dv/dt CAPABILITY
■ 100 AVALANCHE TESTED
■ LOW GATE CHARGE 100 °C
■ APPLICATION ORIENTED
CHARACTERIZATION
■ FOR TAPE & REEL AND OTHER
PACKAGING OPTIONS CONTACT SALES
OFFICES
產(chǎn)品屬性
- 型號：
STD30NE06
- 功能描述：
MOSFET N-CH 60V 30A
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法) |
23+ |
NA |
20094 |
正納10年以上分銷經(jīng)驗原裝進口正品做服務(wù)做口碑有支持 |
詢價 | ||
ST/意法 |
2022+ |
TO-252 |
30000 |
進口原裝現(xiàn)貨供應(yīng),原裝 假一罰十 |
詢價 | ||
IR |
23+ |
TO-220FU |
69820 |
終端可以免費供樣,支持BOM配單! |
詢價 | ||
ST/意法 |
23+ |
SOT-252 |
11200 |
原廠授權(quán)一級代理、全球訂貨優(yōu)勢渠道、可提供一站式BO |
詢價 | ||
ST |
1822+ |
TO-252 |
9852 |
只做原裝正品假一賠十為客戶做到零風險!! |
詢價 | ||
ST |
24+ |
TO-252 |
90000 |
一級代理商進口原裝現(xiàn)貨、假一罰十價格合理 |
詢價 | ||
ST |
24+ |
TO-252 |
80000 |
只做自己庫存,全新原裝進口正品假一賠百,可開13%增 |
詢價 | ||
ST |
24+ |
SOT-252 |
25000 |
ST專營品牌全新原裝熱賣 |
詢價 | ||
ST |
06+ |
TO-252 |
8000 |
原裝庫存 |
詢價 | ||
STD30NE06L |
1108 |
1108 |
詢價 |
