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STD11NM60N-1中文資料無錫固電數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

STD11NM60N-1
廠商型號(hào)

STD11NM60N-1

功能描述

isc N-Channel Mosfet Transistor

絲印標(biāo)識(shí)

IPAK

封裝外殼

TO-251

文件大小

331.58 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 Inchange Semiconductor Company Limited
企業(yè)簡稱

ISC無錫固電

中文名稱

無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-7-13 22:59:00

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產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    STD11NM60N-1

  • 功能描述:

    MOSFET N Ch 600V 0.37 Ohm 10A

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
ST/意法
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NA/
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優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票
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ST
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ST/意法半導(dǎo)體
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TO-252-3
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TO252DPAK
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