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STBV15600BY4中文資料遠創(chuàng)達科技數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

STBV15600BY4
廠商型號

STBV15600BY4

功能描述

GaN HEMT 50V, 600W,1.3-1.6GHz RF Power Transistor

文件大小

1.65783 Mbytes

頁面數(shù)量

6

生產廠商

INNOGRATION

中文名稱

遠創(chuàng)達科技

網址

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數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-16 20:00:00

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STBV15600BY4規(guī)格書詳情

描述 Description

The STBV15600BY4 is a dual path 600watt , Input matched GaN HEMT, ideal for applications from

1.3 to 1.6GHz especially for LTE/5G

There is no guarantee of performance when this part is used outside of stated frequencies.

Applications

? Asymmetrical Doherty amplifier within 1.3-1.6GHz

? L band power amplifier

? CW or pulsed Amplifier

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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