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STB80NF55L-08-1數(shù)據(jù)手冊ST中文資料規(guī)格書

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廠商型號(hào)

STB80NF55L-08-1

功能描述

N-Channel 55V - 0.0065Ohm - 80A - I2PAK StripFET(TM) II POWER MOSFET

制造商

ST STMicroelectronics

中文名稱

意法半導(dǎo)體 意法半導(dǎo)體集團(tuán)

數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-8-24 23:01:00

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STB80NF55L-08-1規(guī)格書詳情

描述 Description

This Power Mosfet is the latest development of STMicroelectronics unique \\\"Single Feature Size?\\\" strip-based process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low on-resistance, rugged avalance characteristics and less critical alignment steps therefore a remarkable manufacturing reproducibility.

特性 Features

TYPICAL R
DS(on) = 0.0065
LOGIC LEVEL DEVICE
LOW THRESHOLD DRIVE

技術(shù)參數(shù)

  • 型號(hào):

    STB80NF55L-08-1

  • 功能描述:

    MOSFET N-Ch, 55V-0.0065ohms 80A

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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