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STB6NC80中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

STB6NC80
廠商型號(hào)

STB6NC80

功能描述

N-CHANNEL 800V - 1.5ohm - 5.4A TO-220/FP/D?PAK/I?PAK Zener-Protected PowerMESH??II MOSFET

文件大小

511.05 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

13 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

STMICROELECTRONICS

中文名稱

意法半導(dǎo)體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-7 14:25:00

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STB6NC80規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

The third generation of MESH OVERLAY? Power MOSFETs for very high voltage exhibits unsurpassed on-resistance per unit area while integrating back-to back Zener diodes between gate and source. Such arrangement gives extra ESD capability with higher rug gedness performance as requested by a large variety of single-switch applications.

■ TYPICAL RDS(on) = 1.5?

■ EXTREMELY HIGH dv/dt AND CAPABILITY GATE-TO- SOURCE ZENER DIODES

■ 100 AVALANCHE TESTED

■ VERY LOW GATE INPUT RESISTANCE

■ GATE CHARGE MINIMIZED

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    STB6NC80

  • 制造商:

    STMICROELECTRONICS

  • 制造商全稱:

    STMicroelectronics

  • 功能描述:

    N-CHANNEL 800V - 1.5ohm - 5.4A TO-220/FP/DPAK/IPAK Zener-Protected PowerMESH⑩III MOSFET

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
ST
24+
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