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STB6N80K5中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

STB6N80K5
廠商型號

STB6N80K5

功能描述

Zener-protected

文件大小

1.29122 Mbytes

頁面數(shù)量

26

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-7-11 12:30:00

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STB6N80K5規(guī)格書詳情

Description

These very high voltage N-channel Power MOSFETs are designed using MDmesh? K5 technology based on an innovative proprietary vertical structure. The result is a dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring superior power density and high efficiency.

? Industry’s lowest RDS(on)

? Industry’s best figure of merit (FoM)

? Ultra low gate charge

? 100 avalanche tested

? Zener-protected

Applications

? Switching applications

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