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STB50NE08中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

STB50NE08
廠商型號(hào)

STB50NE08

功能描述

N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE ??SINGLE FEATURE SIZE ??POWER MOSFET

文件大小

95.45 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡(jiǎn)稱

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
STMICROELECTRONICS
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-4 23:00:00

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STB50NE08規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

This Power MOSFET is the latest development of SGS-THOMSON unique ”Single Feature Size? ” strip-based process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low on-resistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps therefore a remarkable manufacturing reproducibility.

■ TYPICAL RDS(on) = 0.020 ?

■ EXCEPTIONAL dv/dt CAPABILITY

■ 100 AVALANCHE TESTED

■ LOW GATE CHARGE AT 100 °C

■ APPLICATION ORIENTED CHARACTERIZATION

■ FOR THROUGH-HOLE VERSION CONTACT SALES OFFICE

APPLICATIONS

■ HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING

■ SOLENOID AND RELAY DRIVERS

■ MOTOR CONTROL, AUDIO AMPLIFIERS

■ DC-DC & DC-AC CONVERTERS

■ AUTOMOTIVE ENVIRONMENT (INJECTION, ABS, AIR-BAG, LAMPDRIVERS, Etc.)

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
ST/意法
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