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STB43N60DM2

N溝道600 V、0.085 Ohm典型值、34 A MDmesh DM2功率MOSFET，D2PAK封裝; ? Fast-recovery body diode \n? Extremely low gate charge and input capacitance \n? Low on-resistance \n? 100% avalanche tested \n? Extremely high dv/dt ruggedness \n? Zener-protected;

This high voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh? DM2 fast recovery diode series. It offers very low recovery charge and time (Qrr, trr) combined with low RDS(on), rendering it suitable for the most demanding high efficiency converters and ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.\n\n

STSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

STB43N60DM2

絲印：43N60DM2；Package：D2PAK；N-channel 600 V, 0.085 廓 typ., 34 A MDmesh??DM2 Power MOSFET in a D?PAK package

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STF43N60DM2

N-channel600V,0.085廓typ.,34AMDmesh??DM2PowerMOSFETinaTO-220FPpackage

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STP43N60DM2

Extremelyhighdv/dtruggedness

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STW43N60DM2

N-channel600V,0.085廓typ.,34AMDmesh??DM2PowerMOSFETinaTO-247package

Description ThishighvoltageN-channelPowerMOSFETis partoftheMDmesh?DM2fastrecoverydiode series.Itoffersverylowrecoverycharge(Qrr) andtime(trr)combinedwithlowRDS(on),rendering itsuitableforthemostdemandinghighefficiency convertersandidealforbridgetopologi

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技術參數(shù)

  • Package：

    D2PAK

  • Grade：

    Industrial

  • VDSS(V)：

    600

  • RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)：

    0.093

  • Drain Current (Dc)_max(A)：

    34

  • PTOT_max(W)：

    250

  • Qg_typ(nC)：

    56

  • Features：

    Fast recovery diode

  • Reverse Recovery Time_typ(ns)：

    120

  • Qrr_typ(nC)：

    600

  • Peak Reverse Current_nom(A)：

    10.4

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多STB43N60DM2供應商 更新時間2025-7-30 19:27:00

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