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STB3NK60Z中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

STB3NK60Z
廠商型號(hào)

STB3NK60Z

功能描述

N-CHANNEL 600V - 3.3ohm - 2.4A TO-220/FP/D2PAK/DPAK/IPAK Zener-Protected SuperMESH??ower MOSFET

文件大小

755.89 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

15 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡(jiǎn)稱

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-6 9:08:00

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STB3NK60Z規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

The SuperMESH? series is obtained through an extreme optimization of ST’s well established stripbased PowerMESH? layout. In addition to pushing on-resistance significantly down, special care is taken to ensure a very good dv/dt capability for the most demanding applications. Such series complements ST full range of high voltage MOSFETs including revolutionary MDmesh? products.

■ TYPICAL RDS(on) = 3.3 ?

■ EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY

■ 100 AVALANCHE TESTED

■ GATE CHARGE MINIMIZED

■ VERY LOW INTRINSIC CAPACITANCES

■ VERY GOOD MANUFACTURING REPEATIBILITY

APPLICATIONS

■ HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING

■ IDEAL FOR OFF-LINE POWER SUPPLIES, ADAPTORS AND PFC

■ LIGHTING

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    STB3NK60Z

  • 功能描述:

    MOSFET N-Ch 600 Volt 2.4 A Zener SuperMESH

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
STMicroelectronics
21+
D2PAK
2000
100%進(jìn)口原裝!長(zhǎng)期供應(yīng)!絕對(duì)優(yōu)勢(shì)價(jià)格(誠(chéng)信經(jīng)營(yíng))!
詢價(jià)
ST
2020+
TO263
3745
百分百原裝正品 真實(shí)公司現(xiàn)貨庫(kù)存 本公司只做原裝 可
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ST專家
20+
D2PAK
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原裝優(yōu)勢(shì)主營(yíng)型號(hào)-可開原型號(hào)增稅票
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ST/意法
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TO-263
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STM
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ST/意法
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TO-263-3
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百域芯優(yōu)勢(shì) 實(shí)單必成 可開13點(diǎn)增值稅
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ST/意法
ROHS .original
TO-263-3
483
電子元器件供應(yīng)原裝現(xiàn)貨. 優(yōu)質(zhì)獨(dú)立分銷。原廠核心渠道
詢價(jià)