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STB26NM60N中文資料無錫固電數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

STB26NM60N
廠商型號

STB26NM60N

功能描述

isc N-Channel MOSFET Transistor

絲印標識

D2PAK

封裝外殼

TO-263

文件大小

314.04 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商

ISC

中文名稱

無錫固電

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-24 15:15:00

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STB26NM60N規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

? Low Drain-Source On-Resistance

FEATURES

? Drain Current –ID=20A@ TC=25℃

? Drain Source Voltage- : VDSS= 600V(Min)

? Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 165mΩ (Max)

? 100 avalanche tested

? Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation

APPLICATIONS

? Switching application

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    STB26NM60N

  • 功能描述:

    MOSFET POWER MOSFET N-CH 600V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ST/意法
23+
NA
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原裝正品代理渠道價格優(yōu)勢
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ST/意法半導(dǎo)體
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ST/意法半導(dǎo)體
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STMicroelectronics
24+
NA
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進口原裝正品優(yōu)勢供應(yīng)
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ST/意法
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