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STB21NM60ND中文資料意法半導體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
| 廠商型號 |
STB21NM60ND |
| 功能描述 | N-channel 600 V, 0.17 廓, 17 A FDmesh??II Power MOSFET D2PAK, I2PAK, TO-220FP, TO-220, TO-247 |
| 文件大小 |
545.74 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
18 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | STMICROELECTRONICS |
| 中文名稱 | 意法半導體 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-8-13 20:00:00 |
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STB21NM60ND規(guī)格書詳情
描述 Description
The FDmesh? II series belongs to the second generation of MDmesh? technology. This revolutionary Power MOSFET associates a new vertical structure to the companys strip layout and associates all advantages of reduced onresistance and fast switching with an intrinsic fastrecovery body diode. It is therefore strongly recommended for bridge topologies, in ZVS phase-shift converters.
特性 Features
■ The worldwide best RDS(on)*area amongst the fast recovery diode devices
■ 100 avalanche tested
■ Low input capacitance and gate charge
■ Low gate input resistance
■ Extremely high dv/dt and avalanche capabilities
Application
■ Switching applications
產(chǎn)品屬性
- 型號：
STB21NM60ND
- 功能描述：
MOSFET N-channel 600V, 17A FDMesh II
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
4150 |
原廠直銷,現(xiàn)貨供應(yīng),賬期支持! |
詢價 | ||
ST/意法 |
25+ |
TO-263 |
54815 |
百分百原裝現(xiàn)貨,實單必成,歡迎詢價 |
詢價 | ||
ST |
16+ |
TO263 |
659 |
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價 | ||
ST |
1822+ |
TO-263 |
9852 |
只做原裝正品假一賠十為客戶做到零風險!! |
詢價 | ||
STM |
23+ |
TO-263-3 (D2PAK) |
50000 |
原裝正品 支持實單 |
詢價 | ||
ST |
23+ |
D2-PAK |
8560 |
受權(quán)代理!全新原裝現(xiàn)貨特價熱賣! |
詢價 | ||
ST/意法 |
21+ |
NA |
7000 |
只做原裝,假一罰十 |
詢價 | ||
ST/意法 |
21+ |
NA |
12820 |
只做原裝,質(zhì)量保證 |
詢價 | ||
ST/意法 |
24+ |
TO-263 |
504140 |
免費送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系 |
詢價 | ||
ST/意法 |
23+ |
NA |
25630 |
原裝正品 |
詢價 |
