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STB20N90K5 | N溝道900 V、0.21 Ohm典型值、20 A MDmesh K5功率MOSFET,D2PAK封裝; ? 業(yè)界領(lǐng)先的低RDS(on) x面積 \n? 業(yè)界出色的品質(zhì)因數(shù)(FoM) \n? 極低的柵極電荷 \n? 經(jīng)過100%雪崩測試 \n? 穩(wěn)壓保護; 這款超高壓N-溝道功率MOSFET 采用MDmesh? K5技術(shù)進行設(shè)計。該技術(shù)以創(chuàng)新專有的垂直工藝為基礎(chǔ)。因此,在要求高功率密度和高效率的應(yīng)用中,導(dǎo)通電阻顯著降低,并具有極低的柵極電荷。\n\n | STSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團 | ST | |
STB20N90K5 | 絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/20n90k5/marking.html">20N90K5;Package:D2PAK;N-channel 900 V, 0.21 廓 typ., 20 A MDmesh??K5 Power MOSFET in a D?PAK package | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團 | STMICROELECTRONICS | |
N-channel900V,0.21廓typ.,20AMDmesh??K5PowerMOSFETinaTO-220FPpackage | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團 | STMICROELECTRONICS | ||
N-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=20A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=900V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.25Ω(Max)@VGS=10V APPLICATIONS ·Switching | ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司 | ISC | ||
N-channel900V,0.21廓typ.,20AMDmesh??K5PowerMOSFETinaTO-220package | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團 | STMICROELECTRONICS | ||
Zener-protected | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團 | STMICROELECTRONICS |
技術(shù)參數(shù)
- Package:
D2PAK
- Grade:
Industrial
- VDSS(V):
900
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω):
0.25
- Drain Current (Dc)_max(A):
20
- PTOT_max(W):
250
- Qg_typ(nC):
40
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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STMicroelectronics |
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D2PAK(TO-263) |
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