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STB155N3H6中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
| 廠商型號(hào) |
STB155N3H6 |
| 功能描述 | N-channel 30 V, 2.5 m , 80 A, D PAK, DPAK STripFET VI DeepGATE Power MOSFET |
| 文件大小 |
949.48 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
18 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | STMICROELECTRONICS |
| 中文名稱 | 意法半導(dǎo)體 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-8-8 20:00:00 |
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STB155N3H6規(guī)格書詳情
描述 Description
These devices are 30 V N-channel Power MOSFETs realized using ST`s proprietary STripFET? VI technology. The resulting Power MOSFET exhibits the lowest R DS(on) in all packages.
特性 Features
■ RDS(on) * Qg industry benchmark
■ Extremely low on-resistance RDS(on)
■ High avalanche ruggedness
Application
■ Switching applications
■ Automotive
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
STB155N3H6
- 功能描述：
MOSFET N-channel 30 V, 2.5 mOhm, 80 A, D2PAK
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
22+ |
SOT-263 |
100000 |
代理渠道/只做原裝/可含稅 |
詢價(jià) | ||
ST |
20+ |
D2PAK |
36900 |
原裝優(yōu)勢(shì)主營型號(hào)-可開原型號(hào)增稅票 |
詢價(jià) | ||
ST/意法 |
22+ |
TO252 |
28000 |
原裝現(xiàn)貨只有原裝.假一罰十 |
詢價(jià) | ||
ST/意法半導(dǎo)體 |
21+ |
TO-263-3 |
8860 |
原裝現(xiàn)貨,實(shí)單價(jià)優(yōu) |
詢價(jià) | ||
ST/意法 |
23+ |
D2PAK |
11200 |
原廠授權(quán)一級(jí)代理、全球訂貨優(yōu)勢(shì)渠道、可提供一站式BO |
詢價(jià) | ||
ST |
25+23+ |
TO252 |
19369 |
絕對(duì)原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
ST/意法半導(dǎo)體 |
21+ |
TO-263-3 |
8860 |
只做原裝,質(zhì)量保證 |
詢價(jià) | ||
ST/意法半導(dǎo)體 |
23+ |
TO-263-3 |
12820 |
正規(guī)渠道,只有原裝! |
詢價(jià) | ||
STMicroelectronics |
21+ |
D2PAK |
1000 |
100%進(jìn)口原裝!長期供應(yīng)!絕對(duì)優(yōu)勢(shì)價(jià)格(誠信經(jīng)營)! |
詢價(jià) | ||
ST |
22+ |
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢價(jià) |
