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STB14NM50N中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
| 廠商型號 |
STB14NM50N |
| 功能描述 | N-channel 500 V, 0.28 廓 typ., 12 A MDmesh??II Power MOSFET in D?PAK, DPAK, TO-220FP, I?PAK and TO-220 packages |
| 文件大小 |
1.31186 Mbytes |
| 頁面數(shù)量 |
26 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | STMICROELECTRONICS |
| 中文名稱 | 意法半導(dǎo)體 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-8-9 8:49:00 |
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STB14NM50N規(guī)格書詳情
描述 Description
These devices are N-channel Power MOSFET developed using the second generation of MDmesh? technology. This revolutionary Power MOSFET associates a vertical structure to the company’s strip layout to yield one of the world’s lowest on-resistance and gate charge. It is therefore suitable for the most demanding high efficiency converters.
特性 Features
■ 100 avalanche tested
■ Low input capacitance and gate charge
■ Low gate input resistance
Applications
■ Switching applications
產(chǎn)品屬性
- 型號：
STB14NM50N
- 功能描述：
MOSFET N-Ch 500V 0.246 ohm 12 A MDmesh II
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
STMICROELECTRONICS |
46 |
詢價 | |||||
ST/意法 |
22+ |
TO252 |
30000 |
十七年VIP會員,誠信經(jīng)營，一手貨源，原裝正品可零售！ |
詢價 | ||
ST/意法 |
24+ |
NA |
14280 |
強勢渠道訂貨 7-10天 |
詢價 | ||
ST/ |
22+23+ |
TO-263 |
8000 |
新到現(xiàn)貨，只做原裝進口 |
詢價 | ||
ST/意法半導(dǎo)體 |
23+ |
TO-263-3 |
12700 |
買原裝認準中賽美 |
詢價 | ||
ST/意法半導(dǎo)體 |
22+ |
TO-263-3 |
6004 |
原裝正品現(xiàn)貨 可開增值稅發(fā)票 |
詢價 | ||
ST/意法 |
24+ |
D2PAK |
3800 |
大批量供應(yīng)優(yōu)勢庫存熱賣 |
詢價 | ||
ST/意法半導(dǎo)體 |
2023+ |
TO-263-3 |
6000 |
原裝正品現(xiàn)貨、支持第三方檢驗、終端BOM表可配單提供 |
詢價 | ||
ST/意法半導(dǎo)體 |
24+ |
TO-263-3 |
16900 |
原裝現(xiàn)貨,實單價優(yōu) |
詢價 | ||
ST/意法 |
21+ |
TO-263-3 |
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