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STB13NM50N-1中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

STB13NM50N-1
廠商型號

STB13NM50N-1

功能描述

N-channel 500V - 0.250廓 - 12A - TO-220/FP - TO-247-I2/D2PAK Second generation MDmesh??Power MOSFET

文件大小

622.4 Kbytes

頁面數(shù)量

17

生產(chǎn)廠商

STMICROELECTRONICS

中文名稱

意法半導(dǎo)體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-9-3 19:13:00

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產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    STB13NM50N-1

  • 功能描述:

    MOSFET N Ch 600V 6A Hyper fast IGBT

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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