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STB100N6F7

N溝道60 V、4.7 mOhm典型值、100 A STripFET F7功率MOSFET，D2PAK封裝; ? Among the lowest RDS(on) on the market \n? Excellent figure of merit (FoM) \n? Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity \n? High avalanche ruggedness;

This N-channel Power MOSFET utilizes STripFET? F7 technology with an enhanced trench gate structure that results in very low on-state resistance, while also reducing internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching.\n\n

STSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STB100N6F7

絲印：100N6F7；Package：D2PAK；N-channel 60 V, 4.7 m??typ.,100 A STripFET??F7 Power MOSFET in a D?PAK package

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STB100N6F7-2

絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/d2pak/marking.html">D2PAK；Package：TO-263；Isc N-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

STF100N6F7

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

STF100N6F7

N-channel60V,4.6m??typ.,46ASTripFET??F7PowerMOSFETinaTO-220FPpackage

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STP100N6F7

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

技術(shù)參數(shù)

  • Package：

    D2PAK

  • Grade：

    Industrial

  • VDSS(V)：

    60

  • RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)：

    0.0056

  • Drain Current (Dc)_max(A)：

    100

  • PTOT_max(W)：

    125

  • Qg_typ(nC)：

    30

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
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更多STB100N6F7供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-30 17:06:00

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