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SSVBC846BPDW1T1G數(shù)據(jù)手冊(cè)分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-陣列規(guī)格書PDF

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廠商型號(hào)

SSVBC846BPDW1T1G

參數(shù)屬性

SSVBC846BPDW1T1G 封裝/外殼為6-TSSOP,SC-88,SOT-363;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-陣列;產(chǎn)品描述:TRANS NPN/PNP 65V SOT363

功能描述

TRANS NPN/PNP 65V SOT363

封裝外殼

6-TSSOP,SC-88,SOT-363

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名稱

安森美半導(dǎo)體 安森美半導(dǎo)體公司

數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址下載地址二

更新時(shí)間

2025-8-15 17:43:00

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SSVBC846BPDW1T1G規(guī)格書詳情

簡(jiǎn)介

SSVBC846BPDW1T1G屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-陣列。由制造生產(chǎn)的SSVBC846BPDW1T1G晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 陣列雙極晶體管陣列在同一封裝中包含兩個(gè)或更多的分立晶體管,這些晶體管可在電氣上完全隔離,也可在器件封裝內(nèi)部以某種形式互連。陣列中包含的器件具有相近或互補(bǔ)的特性,采用共同封裝可最大程度減小器件在工作過程中的溫差。

技術(shù)參數(shù)

更多
  • 制造商編號(hào)

    :SSVBC846BPDW1T1G

  • 生產(chǎn)廠家

    :ONSEMI

  • 電流 - 集電極(Ic)(最大值)

    :-

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值)

    :-

  • 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值)

    :-

  • 電流 - 集電極截止(最大值)

    :-

  • 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值)

    :-

  • 功率 - 最大值

    :-

  • 頻率 - 躍遷

    :-

  • 工作溫度

    :-

  • 安裝類型

    :表面貼裝

  • 封裝/外殼

    :6-TSSOP,SC-88,SOT-363

  • 供應(yīng)商器件封裝

    :SC-88/SC70-6/SOT-363

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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