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SST4119分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-JFET規(guī)格書PDF中文資料

SST4119
廠商型號

SST4119

參數(shù)屬性

SST4119 封裝/外殼為TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-JFET;產(chǎn)品描述:JFET N-CH 70V 200UA SOT-23

功能描述

N-Channel JFETs
JFET N-CH 70V 200UA SOT-23

絲印標(biāo)識

T9

封裝外殼

SOT-23 / TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

61.71 Kbytes

頁面數(shù)量

5

生產(chǎn)廠商

VISHAY Vishay Siliconix

中文名稱

威世科技 威世科技半導(dǎo)體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-11 23:01:00

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SST4119規(guī)格書詳情

SST4119屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-JFET。由威世科技半導(dǎo)體制造生產(chǎn)的SST4119晶體管 - JFET結(jié)柵場效應(yīng)晶體管 (JFET) 是用作電子控制開關(guān)、放大器或電壓控制電阻器的器件。在柵極端子與源極端子之間施加適當(dāng)極性的電勢差就會增加電流流動的阻力,這意味著源極端子與漏極端子之間通道中流動的電流會更少。由于電荷流過源極與漏極端子之間的半導(dǎo)體通道,因此 JFET 不需要偏置電流。

DESCRIPTION

The 2N/PN/SST4117A series of n-channel JFETs provide ultra-high input impedance. These devices are specified with a 1-pA limit and typically operate at 0.2 pA. This makes them perfect choices for use as high-impedance sensitive front-end amplifiers.

FEATURES

● Ultra-Low Leakage: 0.2 pA

● Very Low Current/Voltage Operation

● Ultrahigh Input Impedance

● Low Noise

BENEFITS

● Insignificant Signal Loss/Error Voltage with High-Impedance Source

● Low Power Consumption (Battery)

● Maximum Signal Output, Low Noise

● High Sensitivity to Low-Level Signals

APPLICATIONS

● High-Impedance Transducer Amplifiers

● Smoke Detector Input

● Infrared Detector Amplifier

● Precision Test Equipment

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    SST4119-T1-E3

  • 制造商:

    Vishay Siliconix

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - JFET

  • 包裝:

    管件

  • FET 類型:

    N 通道

  • 不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):

    3pF @ 10V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-236

  • 描述:

    JFET N-CH 70V 200UA SOT-23

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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