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SSRF06N60SL

N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

SSRF06N60SL_15

N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

06N60E

N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET

Features Maintainsbothlowpowerlossandlownoise LowerRDS(on)characteristic Morecontrollableswitchingdv/dtbygateresistance SmallerVGSringingwaveformduringswitching Narrowbandofthegatethresholdvoltage(3.0±0.5V) Highavalanchedurability Applica

FujiFuji Electric

富士電機(jī)富士電機(jī)株式會(huì)社

AIHD06N60R

IGBTwithintegrateddiodeinpackagesofferingspacesavingadvantage

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

AIHD06N60RF

IGBTwithintegrateddiodeinpackagesofferingspacesavingadvantage

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

CJP06N60

PowerfiledEffectTransistor

FEATURES ◆RobustHighVoltageTermination ◆AvalancheEnergySpecified ◆Source-to-DrainDiodeRecoveryTimeComparabletoa DiscreteFastRecoveryDiode ◆DiodeisCharacterizedforUseinBridgeCircuits ◆IDSSandVDS(on)SpecifiedatElevatedTemperature

JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

長(zhǎng)電科技江蘇長(zhǎng)電科技股份有限公司

CMT06N60

POWERFIELDEFFECTTRANSISTOR

CHAMPChampion Microelectronic Corp.

虹冠虹冠電子工業(yè)股份有限公司

CMT06N60

POWERFIELDEFFECTTRANSISTOR

GENERALDESCRIPTION ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage-blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyinavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyeffic

CHAMPChampion Microelectronic Corp.

虹冠虹冠電子工業(yè)股份有限公司

CMT06N60

POWERFIELDEFFECTTRANSISTOR

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分類(lèi)制造商

EMD06N60A

N??hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor

ProductSummary: BVDSS600V RDSON(MAX.)1.55Ω ID6A UIS,100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree

EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp.

杰力科技杰力科技股份有限公司

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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TO-220F
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更多SSRF06N60SL供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-23 14:02:00

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