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SSP2N60B中文資料SSW2N60B, 2N60B / 600V N-Channel MOSFET數(shù)據(jù)手冊(cè)O(shè)NSEMI規(guī)格書(shū)

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廠(chǎng)商型號(hào)

SSP2N60B

功能描述

SSW2N60B, 2N60B / 600V N-Channel MOSFET

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名稱(chēng)

安森美半導(dǎo)體 安森美半導(dǎo)體公司

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-9-8 15:59:00

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SSP2N60B規(guī)格書(shū)詳情

描述 Description

These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchilds proprietary, planar, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for high efficiency switch mode power supplies.

技術(shù)參數(shù)

  • 型號(hào):

    SSP2N60B

  • 功能描述:

    MOSFET N-Ch/600V/2a/5Ohm

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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