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SSM6P49NU中文資料東芝數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

SSM6P49NU
廠商型號

SSM6P49NU

功能描述

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type

文件大小

192.82 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 Toshiba Semiconductor
企業(yè)簡稱

TOSHIBA東芝

中文名稱

株式會(huì)社東芝官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-7-17 22:59:00

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SSM6P49NU規(guī)格書詳情

Features

(1) 1.8 V drive

(2) Low drain-source on-resistance

: RDS(ON) = 157 m? (max) (@VGS = -1.8 V)

RDS(ON) = 76 m? (max) (@VGS = -2.5 V)

RDS(ON) = 56 m? (max) (@VGS = -4.5 V)

RDS(ON) = 45 m? (max) (@VGS = -10 V)

Applications

? Power Management Switches

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    SSM6P49NU

  • 功能描述:

    MOSFET SM Sig MOS 2 in 1 P-Ch -4A -20V 12V GS

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
TOSHIBA/東芝
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