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SSM6P49NU中文資料東芝數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

SSM6P49NU
廠商型號(hào)

SSM6P49NU

功能描述

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type

文件大小

192.82 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

6 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

TOSHIBA

中文名稱

東芝

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-9-3 16:07:00

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SSM6P49NU規(guī)格書(shū)詳情

特性 Features

(1) 1.8 V drive

(2) Low drain-source on-resistance

: RDS(ON) = 157 m? (max) (@VGS = -1.8 V)

RDS(ON) = 76 m? (max) (@VGS = -2.5 V)

RDS(ON) = 56 m? (max) (@VGS = -4.5 V)

RDS(ON) = 45 m? (max) (@VGS = -10 V)

Applications

? Power Management Switches

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    SSM6P49NU

  • 功能描述:

    MOSFET SM Sig MOS 2 in 1 P-Ch -4A -20V 12V GS

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
TOSHIBA(東芝)
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正納10年以上分銷經(jīng)驗(yàn)原裝進(jìn)口正品做服務(wù)做口碑有支持
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