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SSM6P39TU數(shù)據(jù)手冊Toshiba中文資料規(guī)格書

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廠商型號

SSM6P39TU

功能描述

Small Low ON resistance MOSFETs

制造商

Toshiba Toshiba Semiconductor

中文名稱

東芝 株式會社東芝

數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-8-17 15:17:00

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SSM6P39TU規(guī)格書詳情

描述 Description

Polarity:P-ch×2
Generation:U-MOSⅢ
Internal Connection:Independent
Component Product (Q1):SSM6P39TU
Component Product (Q2):SSM6P39TU
AEC-Q101:Conform(*)
RoHS Compatible Product(s) (#):Available
Assembly bases:日本 / 泰國

特性 Features

Drain current (Q1) ID -1.5 A
Drain-Source voltage (Q1) VDSS -20 V
Gate-Source voltage (Q1) VGSS +/-8 V
Drain current (Q2) ID -1.5 A
Drain-Source voltage (Q2) VDSS -20 V
Gate-Source voltage (Q2) VGSS +/-8 V
Power Dissipation PD 0.5 W

技術(shù)參數(shù)

  • 制造商編號

    :SSM6P39TU

  • 生產(chǎn)廠家

    :Toshiba

  • Package name(Toshiba)

    :UF6

  • Width×Length×Height(mm)

    :2.0 x 2.1 x 0.7

  • AEC-Q101

    :Qualified(*)

  • Polarity

    :P-ch x 2

  • VDSS(V)

    :-20

  • ID(A)

    :-1.5

  • RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=2.5V

    :0.294

  • Qg(nC)

    :6.4

  • Tch(℃)

    :150

  • Drive voltage type

    :Low Voltage Gate Drive

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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