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SSM6N7002FU數(shù)據(jù)手冊Toshiba中文資料規(guī)格書

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廠商型號

SSM6N7002FU

功能描述

Small Low ON resistance MOSFETs

制造商

Toshiba Toshiba Semiconductor

中文名稱

東芝 株式會社東芝

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-13 23:01:00

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SSM6N7002FU規(guī)格書詳情

描述 Description

Polarity:N-ch×2
Generation:π-MOSⅥ
Internal Connection:Independent
Component Product (Q1):SSM3K7002FU
Component Product (Q2):SSM3K7002FU
RoHS Compatible Product(s) (#):Available
Assembly bases:日本 / 泰國

特性 Features

Drain current (Q1) ID 0.2 A
Drain-Source voltage (Q1) VDSS 60 V
Gate-Source voltage (Q1) VGSS +/-20 V
Drain current (Q2) ID 0.2 A
Drain-Source voltage (Q2) VDSS 60 V
Gate-Source voltage (Q2) VGSS +/-20 V

技術(shù)參數(shù)

  • 制造商編號

    :SSM6N7002FU

  • 生產(chǎn)廠家

    :Toshiba

  • Product Category

    :Small Low ON resistance MOSFETs

  • Package name(Toshiba)

    :US6

  • Recommended Product 1

    :SSM6N7002CFU(Package and characteristics are almost same)

  • Recommended Product 2

    :SSM6N7002KFU(Package and characteristics are almost same)

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