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MOSFETsSiliconN-ChannelMOS 1.Applications ?PowerManagementSwitches ?DC-DCConverters 2.Features (1)1.8Vgatedrivevoltage. (2)Lowdrain-sourceon-resistance :RDS(ON)=39.1mΩ(max)(@VGS=4.5V) RDS(ON)=53mΩ(max)(@VGS=2.5V) RDS(ON)=82mΩ(max)(@VGS=1.8V) | TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝 | TOSHIBA | ||
MOSFETsSiliconN-ChannelMOS | TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝 | TOSHIBA |
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