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SSM6N15FE數(shù)據(jù)手冊Toshiba中文資料規(guī)格書

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廠商型號

SSM6N15FE

功能描述

Small-signal MOSFET 2 in 1

制造商

Toshiba Toshiba Semiconductor

中文名稱

東芝 株式會社東芝

數(shù)據(jù)手冊

下載地址下載地址二

更新時間

2025-8-14 23:01:00

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SSM6N15FE規(guī)格書詳情

描述 Description

Polarity:N-ch×2
Generation:π-MOSⅥ
Internal Connection:Independent
Component Product (Q1):SSM3K15FU
Component Product (Q2):SSM3K15FU
AEC-Q101:Conform(*)
RoHS Compatible Product(s) (#):Available
Assembly bases:日本 / 泰國

特性 Features

Drain current (Q1) ID 0.1 A
Drain-Source voltage (Q1) VDSS 30 V
Gate-Source voltage (Q1) VGSS +/-20 V
Drain current (Q2) ID 0.1 A
Drain-Source voltage (Q2) VDSS 30 V
Gate-Source voltage (Q2) VGSS +/-20 V

技術(shù)參數(shù)

  • 制造商編號

    :SSM6N15FE

  • 生產(chǎn)廠家

    :Toshiba

  • Product Category

    :Small-signal MOSFET 2 in 1

  • Package name(Toshiba)

    :ES6

  • Recommended Product 1

    :SSM6N15AFE(Package and characteristics are almost same)

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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原裝現(xiàn)貨假一罰十
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