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SSM6J412TU數(shù)據(jù)手冊(cè)Toshiba中文資料規(guī)格書

PDF無(wú)圖
廠商型號(hào)

SSM6J412TU

功能描述

Small Low ON resistance MOSFETs

制造商

Toshiba Toshiba Semiconductor

中文名稱

東芝 株式會(huì)社東芝

數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址下載地址二

更新時(shí)間

2025-9-2 23:01:00

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SSM6J412TU規(guī)格書詳情

描述 Description

Polarity:P-ch
Generation:U-MOSⅥ
RoHS Compatible Product(s) (#):Available
Assembly bases:日本 / 泰國(guó)

特性 Features

Drain current ID -4 A
Power Dissipation PD 1 W
Drain-Source voltage VDSS -20 V
Gate-Source voltage VGSS +/-8 V

技術(shù)參數(shù)

  • 制造商編號(hào)

    :SSM6J412TU

  • 生產(chǎn)廠家

    :Toshiba

  • Polarity

    :P-ch

  • VDSS(V)

    :-20

  • VGSS(V)

    :+/-8

  • ID(A)

    :-4.0

  • PD(W)

    :1.0

  • Ciss(pF)

    :840

  • Qg(nC)

    :12.8

  • RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=1.5V

    :0.0996

  • RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=1.8V

    :0.0678

  • RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=2.5V

    :0.0514

  • RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=4.5V

    :0.0427

  • Number of pins

    :6

  • Surface mount package

    :Y

  • Package name(Toshiba)

    :UF6

  • Generation

    :U-MOSⅥ

  • Width×Length×Height(mm)

    :2.0 x 2.1 x 0.7

  • Package Size(mm^2)

    :4.20

  • Drive voltage type

    :Low Voltage Gate Drive

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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