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SSM3J15FV數(shù)據(jù)手冊Toshiba中文資料規(guī)格書

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廠商型號

SSM3J15FV

功能描述

Small Low ON resistance MOSFETs

制造商

Toshiba Toshiba Semiconductor

中文名稱

東芝 株式會社東芝

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-22 20:00:00

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SSM3J15FV規(guī)格書詳情

描述 Description

Polarity:P-ch
Generation:π-MOSⅥ
AEC-Q101:Conform(*)
RoHS Compatible Product(s) (#):Available
Assembly bases:日本 / 泰國

特性 Features

Drain current ID -0.1 A
Power Dissipation PD 0.15 W
Drain-Source voltage VDSS -30 V
Gate-Source voltage VGSS +/-20 V

技術(shù)參數(shù)

  • 制造商編號

    :SSM3J15FV

  • 生產(chǎn)廠家

    :Toshiba

  • Package name(Toshiba)

    :VESM

  • Width×Length×Height(mm)

    :1.2 x 1.2 x 0.5

  • AEC-Q101

    :Qualified(*)

  • Polarity

    :P-ch

  • VDSS(V)

    :-30

  • ID(A)

    :-0.1

  • RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=2.5V

    :32

  • Tch(℃)

    :150

  • Drive voltage type

    :Low Voltage Gate Drive

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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