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STTH112A	文件：88.84 Kbytes Page：7 Pages	Highvoltageultrafastrectifier	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導體意法半導體集團	STMICROELECTRONICS
STTH112A	文件：2.30184 Mbytes Page：20 Pages	Single-channelisolatedgatedriverICwithadjustableDESATandsoft-off Features ?600V,650V,900V,and1200VIGBTs,SiCandSiMOSFETs ?40Vabsolutemaximumoutputsupplyvoltage ?±3A,±6A,and±9Atypicalsinkingandsourcingpeakoutputcurrent ?SeparatesourceandsinkoutputsforhardswitchingandwithactiveMillerclamp/clampdriver ?Adjustme	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
STTH112RL	文件：60.91 Kbytes Page：6 Pages	HIGHVOLTAGEULTRAFASTRECTIFIER Description TheSTTH112,whichisusingSTultrafasthigh voltageplanartechnology,isspeciallysuitedfor free-wheeling,clamping,snubbering, demagnetizationinpowersuppliesandother powerswitchingapplications Features ■Lowforwardedvoltagedrop ■Highreliability ■Highsurg	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導體意法半導體集團	STMICROELECTRONICS
STTH112RL	文件：88.84 Kbytes Page：7 Pages	Highvoltageultrafastrectifier	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導體意法半導體集團	STMICROELECTRONICS
STTH112U	文件：60.91 Kbytes Page：6 Pages	HIGHVOLTAGEULTRAFASTRECTIFIER Description TheSTTH112,whichisusingSTultrafasthigh voltageplanartechnology,isspeciallysuitedfor free-wheeling,clamping,snubbering, demagnetizationinpowersuppliesandother powerswitchingapplications Features ■Lowforwardedvoltagedrop ■Highreliability ■Highsurg	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導體意法半導體集團	STMICROELECTRONICS
STTH112U	文件：88.84 Kbytes Page：7 Pages	Highvoltageultrafastrectifier	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導體意法半導體集團	STMICROELECTRONICS
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STTH112-Y	文件：9.99749 Mbytes Page：27 Pages	EiceDRIVER?enhanced1EDI302xAS/1EDI303xASevaluationboard TheEiceDRIVER?enhanced1EDI302xAS/1EDI303xASevaluationboardisaversatileevaluationplatformforthe EiceDRIVER?enhanced1EDI302xAS/1EDI303xASfamily.Itfeaturesahalfbridgeconfiguration,seeFigure1. ThereistheoptiontomounteithertheHybridPACK?DSCIGBTmoduleoradiscreteP	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
STX112	文件：151.92 Kbytes Page：5 Pages	SILICONNPNPOWERDARLINGTONTRANSISTOR Description Thedevicesaremanufacturedinplanartechnologywith“baseisland”layoutandmonolithicDarlingtonconfiguration. Features ■GoodhFElinearity ■HighfTfrequency ■MonolithicDarlingtonconfigurationwith integratedantiparallelcollector-emitterdiode Applica	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導體意法半導體集團	STMICROELECTRONICS
STX112	文件：343.01 Kbytes Page：9 Pages	ComplementarypowerDarlingtontransistors	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導體意法半導體集團	STMICROELECTRONICS

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