SSI7N60B中文資料仙童半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
| 廠商型號(hào) |
SSI7N60B |
| 功能描述 | 600V N-Channel MOSFET |
| 文件大小 |
656.22 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
9 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Fairchild Fairchild Semiconductor |
| 中文名稱 | 仙童半導(dǎo)體 飛兆/仙童半導(dǎo)體公司 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時(shí)間 | 2025-9-6 23:01:00 |
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SSI7N60B規(guī)格書詳情
General Description
These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar, DMOS technology.
This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for high efficiency switch mode power supplies.
特性 Features
? 7.0A, 600V, RDS(on) = 1.2? @VGS = 10 V
? Low gate charge ( typical 38 nC)
? Low Crss ( typical 23 pF)
? Fast switching
? 100 avalanche tested
? Improved dv/dt capability
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
SSI7N60B
- 功能描述：
MOSFET 600V Single
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
D |
24+ |
NA/ |
3287 |
原廠直銷,現(xiàn)貨供應(yīng),賬期支持! |
詢價(jià) | ||
onsemi(安森美) |
24+ |
I2PAK(TO262) |
7350 |
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詢價(jià) | ||
TDK |
24+ |
DIP |
35200 |
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詢價(jià) | ||
FSC |
17+ |
TO-262 |
1000 |
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詢價(jià) | ||
SSI |
23+ |
CDIP |
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TDK/東電化 |
2022+ |
DIP |
413 |
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詢價(jià) | ||
24+ |
TO-262 |
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詢價(jià) | |||
FSC |
23+ |
TO-262 |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢價(jià) | ||
D |
23+ |
CDIP |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢價(jià) |
