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STPR810DF	文件：40.39 Kbytes Page：2 Pages	SUPERFASTGLASSPASSIVATEDRECTIFIERS REVERSEVOLTAGE-50to600Volts FORWARDCURRENT-8.0Amperes FEATURES ●Glasspassivatedchip ●Superfastswitchingtimeforhighefficiency ●Lowforwardvoltagedropandhighcurrentcapability ●Lowreverseleakagecurrent ●Highsurgecapacity ●PlasticpackagehasULflammabilityc	LITEONLite-On Technology Corporation 光寶科技光寶科技股份有限公司	LITEON
STPR810DF	文件：66.77 Kbytes Page：2 Pages	8.0ASUPER-FASTGLASSPASSIVATEDRECTIFIER Features ●GlassPassivatedDieConstruction ●DiffusedJunction ●Super-FastSwitchingTimesforHighEfficiency ●HighCurrentCapabilityandLowForwardVoltageDrop ●SurgeOverloadRatingto125APeak ●LowReverseLeakageCurrent ●PlasticMaterial:ULFlammabilityClassificationRati	DIODESDiodes Incorporated 美臺(tái)半導(dǎo)體	DIODES
STPR810DF	文件：79.52 Kbytes Page：2 Pages	UltraFastRecoveryDiodes FEATURES Glasspassivatedchip Superfastswitchingtimeforhighefficiency Lowforwardvoltagedropandhighcurrentcapability Lowreverseleakagecurrent *Highsurgecapacity	SIRECTIFIERSirectifier Semiconductors 矽萊克電子江蘇矽萊克電子科技有限公司	SIRECTIFIER
STPR810DF	文件：83.01 Kbytes Page：2 Pages	UltraFastRecoveryDiodes FEATURES Glasspassivatedchip Superfastswitchingtimeforhighefficiency Lowforwardvoltagedropandhighcurrentcapability Lowreverseleakagecurrent *Highsurgecapacity	SIRECTSirectifier Global Corp. 矽萊克半導(dǎo)體深圳市矽萊克半導(dǎo)體有限公司	SIRECT
STTH810	文件：193.7 Kbytes Page：11 Pages	Ultrafastrecovery-highvoltagediode Description Thehighqualitydesignofthisdiodehasproducedadevicewithlowleakagecurrent,regularlyreproduciblecharacteristicsandintrinsicruggedness.Thesecharacteristicsmakeitidealforheavydutyapplicationsthatdemandlongtermreliability. Featuresandbenefits ■Ultrafast	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
STTH810D	文件：193.7 Kbytes Page：11 Pages	Ultrafastrecovery-highvoltagediode Description Thehighqualitydesignofthisdiodehasproducedadevicewithlowleakagecurrent,regularlyreproduciblecharacteristicsandintrinsicruggedness.Thesecharacteristicsmakeitidealforheavydutyapplicationsthatdemandlongtermreliability. Featuresandbenefits ■Ultrafast	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
STTH810D	文件：100.68 Kbytes Page：2 Pages	8.0AGLASSPASSIVATEDULTRAFASTDIODE	ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣諾電子淄博圣諾電子工程有限公司	ZSELEC
STTH810DI	文件：193.7 Kbytes Page：11 Pages	Ultrafastrecovery-highvoltagediode Description Thehighqualitydesignofthisdiodehasproducedadevicewithlowleakagecurrent,regularlyreproduciblecharacteristicsandintrinsicruggedness.Thesecharacteristicsmakeitidealforheavydutyapplicationsthatdemandlongtermreliability. Featuresandbenefits ■Ultrafast	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
STTH810FP	文件：193.7 Kbytes Page：11 Pages	Ultrafastrecovery-highvoltagediode Description Thehighqualitydesignofthisdiodehasproducedadevicewithlowleakagecurrent,regularlyreproduciblecharacteristicsandintrinsicruggedness.Thesecharacteristicsmakeitidealforheavydutyapplicationsthatdemandlongtermreliability. Featuresandbenefits ■Ultrafast	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
STTH810FP	文件：87.13 Kbytes Page：2 Pages	8.0AGLASSPASSIVATEDULTRAFASTDIODE	ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣諾電子淄博圣諾電子工程有限公司	ZSELEC

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