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SS8050DBU分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

SS8050DBU
廠商型號

SS8050DBU

參數(shù)屬性

SS8050DBU 封裝/外殼為TO-226-3,TO-92-3 標準主體(!--TO-226AA);包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS NPN 25V 1.5A TO92-3

功能描述

NPN Epitaxial Silicon Transistor

絲印標識

S8050

封裝外殼

TO-92-3L / TO-226-3,TO-92-3 標準主體(!--TO-226AA)

文件大小

199.99 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 Fairchild Semiconductor
企業(yè)簡稱

FAIRCHILD仙童半導體

中文名稱

飛兆/仙童半導體公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-7-4 23:00:00

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SS8050DBU規(guī)格書詳情

Features

? 2 W Output Amplifier of Portable Radios in Class B Push-pull Operation.

? Complimentary to SS8550

? Collector Current: IC = 1.5 A

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    SS8050DBU

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    500mV @ 80mA,800mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    160 @ 100mA,1V

  • 頻率 - 躍遷:

    100MHz

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-226-3,TO-92-3 標準主體(!--TO-226AA)

  • 供應商器件封裝:

    TO-92-3

  • 描述:

    TRANS NPN 25V 1.5A TO92-3

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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