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SQW33N65EF_V01規(guī)格書詳情
FEATURES
? Fast body diode MOSFET using E series
technology
? Reduced trr, Qrr, and IRRM
? Low figure-of-merit (FOM): Ron x Qg
? Low input capacitance (Ciss)
? Low switching losses due to reduced Qrr
? 175 °C operating temperature
? AEC-Q101 qualified
? Ultra low gate charge (Qg)
? Avalanche energy rated (UIS)
? Material categorization: for definitions of compliance
please see www.vishay.com/doc?99912
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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2407+ |
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JST/日壓 |
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