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SQS660CENW

Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET

FEATURES ?TrenchFET?powerMOSFET ?AEC-Q101qualified ?100RgandUIStested ?Materialcategorization: fordefinitionsofcompliancepleasesee www.vishay.com/doc?99912

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

SQS660CENW

Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET

FEATURES ?TrenchFET?powerMOSFET ?AEC-Q101qualified ?100RgandUIStested ?Materialcategorization: fordefinitionsofcompliancepleasesee www.vishay.com/doc?99912

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

SQS660CENW

Marking：Q051；Package：PowerPAK1212-8W；Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 ?C MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

SQS660CENW

Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET;

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

SQS660CENW_V01

Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET

FEATURES ?TrenchFET?powerMOSFET ?AEC-Q101qualified ?100RgandUIStested ?Materialcategorization: fordefinitionsofcompliancepleasesee www.vishay.com/doc?99912

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

SQS660CENW_V02

Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET

FEATURES ?TrenchFET?powerMOSFET ?AEC-Q101qualified ?100RgandUIStested ?Materialcategorization: fordefinitionsofcompliancepleasesee www.vishay.com/doc?99912

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

技術參數(shù)

  • Package：

    PowerPAK 1212-8W

  • Channel：

    N

  • VDS (V)：

    60

  • VGS (V)：

    20

  • IDMax. (A)：

    18.0

  • PDMax. (W)：

    62.5

  • RDS(on)@10V (?)：

    0.0112

  • RDS(on)@4.5V (?)：

    0.016

  • Qg@10V (nC)：

    17.4

  • Qgs (nC)：

    4.8

  • Qgd (nC)：

    1.1

  • VGS (th)Min. (V)：

    1.5

  • RgTyp. (?)：

    0.54

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多SQS660CENW供應商 更新時間2025-7-27 23:00:00

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