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SQD50N06-09L-GE3

N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體(臺灣)有限公司

SQD50N06-09L-GE3

Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 ?C MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

SQP50N06-09L-GE3

AutomotiveN-Channel60V(D-S)175?CMOSFET

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詳細參數(shù)

  • 型號:

    SQD50N06-09L-GE3

  • 功能描述:

    MOSFET 60V 50A 136W 9.3mohm @ 10V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多SQD50N06-09L-GE3供應商 更新時間2025-7-28 14:14:00