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首頁(yè)>SQD50N03-06P-GE3>芯片詳情

SQD50N03-06P-GE3_VISHAY/威世科技_MOSFET 30V 84A 88W 6.5mohm @ 10V亞泰盈科

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  • 廠家型號(hào)：

    SQD50N03-06P-GE3

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    VISHAY

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    30216

  • 產(chǎn)品封裝：

    SOT-252

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

  • 庫(kù)存類型：

    優(yōu)勢(shì)庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2025-7-29 14:01:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書(shū)下載

原廠料號(hào)：SQD50N03-06P-GE3品牌：VISHAY

提供BOM表配單TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S

  • 芯片型號(hào)：

    SQD50N03-06P-GE3

  • 規(guī)格書(shū)：

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    VBSEMI【微碧半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    VBsemi Electronics Co.,Ltd

  • 中文名稱：

    微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    8 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    1019.83 kb

  • 資料說(shuō)明：

    N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號(hào)：

    SQD50N03-06P-GE3

  • 功能描述：

    MOSFET 30V 84A 88W 6.5mohm @ 10V

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市亞泰盈科電子有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪留言

  • 聯(lián)系人：

    許小姐

  • 手機(jī)：

    18902849575

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-83759959-806/18902849575

  • 傳真：

    0755-83759919

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)深南中路3006佳和大廈B座1410-1411

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