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SQ2361EES-T1-GE3中文資料微碧半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

SQ2361EES-T1-GE3
廠商型號

SQ2361EES-T1-GE3

功能描述

P-Channel 60-V (D-S) MOSFET

文件大小

1.12077 Mbytes

頁面數(shù)量

10

生產(chǎn)廠商 VBsemi Electronics Co.,Ltd
企業(yè)簡稱

VBSEMI微碧半導(dǎo)體

中文名稱

微碧半導(dǎo)體(臺灣)有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
VBSEMI
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-1 18:05:00

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SQ2361EES-T1-GE3規(guī)格書詳情

FEATURES

? Isolated Package

? High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;

f = 60 Hz)

? Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm

? P-Channel

? 175 °C Operating Temperature

? Dynamic dV/dt Rating

? Low Thermal Resistance

? Lead (Pb)-free Available

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    SQ2361EES-T1-GE3

  • 功能描述:

    MOSFET 60V 2.5A 2W P.CH 150mohm @ 10V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
VISHAY
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