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SPP11N80C3中文資料英飛凌數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

SPP11N80C3
廠商型號(hào)

SPP11N80C3

功能描述

CoolMOSTM Power Transistor

文件大小

490.99 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

10 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

Infineon

中文名稱(chēng)

英飛凌

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-9-10 14:18:00

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SPP11N80C3規(guī)格書(shū)詳情

特性 Features

? New revolutionary high voltage technology

? Extreme dv/dt rated

? High peak current capability

? Qualified according to JEDEC1) for target applications

? Pb-free lead plating; RoHS compliant

? Ultra low gate charge

? Ultra low effective capacitances

CoolMOSTM 800V designed for:

? Industrial application with high DC bulk voltage

? Switching Application (i.e. active clamp forward)

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    SPP11N80C3

  • 功能描述:

    MOSFET COOL MOS N-CH 800V 11A

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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