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SPP11N65C3數(shù)據(jù)手冊分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個規(guī)格書PDF

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廠商型號

SPP11N65C3

參數(shù)屬性

SPP11N65C3 包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個;產(chǎn)品描述:MOSFET N-CH 650V 11A TO-220

功能描述

500V-900V CoolMOS? N-Channel Power MOSFET
MOSFET N-CH 650V 11A TO-220

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名稱

英飛凌 英飛凌科技股份公司

數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址下載地址二

更新時間

2025-8-13 23:01:00

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SPP11N65C3規(guī)格書詳情

描述 Description

650V CoolMOS? C3 is Infineon's third series of CoolMOS? with market entry in 2001. Replacement for 650V CoolMOS? C3 is?CoolMOS? P7.

特性 Features

? Low specific on-state resistance (RDS(on)*A)
? Very low energy storage in output capacitance (Eoss) @400V
? Low gate charge (Qg)
? Fieldproven CoolMOS? quality
? CoolMOS? technology has been manufactured by Infineon since 1998

優(yōu)勢:
? High efficiency and power density
? Outstanding cost/performance
? High reliability
? Ease-of-use

應(yīng)用 Application

? Consumer
? PC power
? Adapter

簡介

SPP11N65C3屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個。由制造生產(chǎn)的SPP11N65C3晶體管 - FET,MOSFET - 單個分立式場效應(yīng)晶體管 (FET) 廣泛用于功率轉(zhuǎn)換、電機控制、固態(tài)照明及其他應(yīng)用,它們具有高頻開關(guān)特性,同時又能承載大電流,使其在這些應(yīng)用中具備一定優(yōu)勢。這類晶體管廣泛應(yīng)用于要求額定電壓為幾百伏或更低的應(yīng)用,如果超出該額定電壓值,則 IGBT 等其他器件更具競爭力。

技術(shù)參數(shù)

更多
  • 制造商編號

    :SPP11N65C3

  • 生產(chǎn)廠家

    :Infineon

  • Package?

    :TO-220

  • VDS?max

    :650.0V

  • RDS (on)?max

    :400.0m?

  • Polarity?

    :N

  • ID ?max

    :11.0A

  • Ptot?max

    :125.0W

  • IDpuls?max

    :33.0A

  • VGS(th)?min?max

    :2.1V?3.9V

  • QG?

    :45.0nC?

  • Rth?

    :1.0K/W?

  • RthJC?max

    :1.0K/W

  • RthJA?max

    :62.0K/W

  • Operating Temperature?min

    :-55.0°C?

  • Mounting?

    :THT

  • Mode?

    :Enhancement

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
INFINEON/英飛凌
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