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SPA02N80C3

PowerMOSFET

FEATURES ?DynamicdV/dtRating ?RepetitiveAvalancheRated ?IsolatedCentralMountingHole ?FastSwitching ?EaseofParalleling ?SimpleDriveRequirements ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

SPA02N80C3

IscN-ChannelMOSFETTransistor

?FEATURES ?WithTO-220Fpackage ?Lowinputcapacitanceandgatecharge ?Reducedswitchingandconductionlosses ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation ?APPLICATIONS ?Switchingapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

SPD02N80C3

N-ChannelMOSFETTransistor

?DESCRITION ?Highpeakcurrentcapability ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤2.7? ?Enhancementmode: ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

SPD02N80C3

CoolMOSTMPowerTransistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPD02N80C3

CoolMOSTMPowerTransistorFeaturesNewrevolutionaryhighvoltagetechnology

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPD02N80C3

CoolMOSPowerTransistor

Features ?Newrevolutionaryhighvoltagetechnology ?Ultralowgatecharge ?Periodicavalancherated ?Extremedv/dtrated ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant ?QualifiedaccordingtoJEDEC0)fortargetapplications

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    SPP02N80C3

  • 功能描述：

    MOSFET COOL MOS N-CH 800V 2A

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
INFINEON/英飛凌
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更多SPP02N80C3供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-21 18:34:00

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