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SZESD8104MUTAG

ESDProtectionDiode

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

TLE8104E

SmartQuadChannelPowertrainSwitch

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

TPC8104-H

P-Channel30-V(D-S)MOSFET

FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition ?TrenchFET?PowerMOSFET ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

TPC8104-H

TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconPChannelMOSType(HighSpeedU-MOSII)

HighSpeedandHighEfficiencyDC?DCConverters LithiumIonBatteryApplications NotebookPCs PortableEquipmentApplications ?Smallfootprintduetosmallandthinpackage ?Highspeedswitching ?Smallgatecharge:Qg=17nC(typ.) ?Lowdrain?sourceONresistance:RDS(ON)=38m?(t

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High-SideSwitchingApplications

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BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

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東芝株式會(huì)社東芝

TPCC8104

Lithium-IonSecondaryBatteriesPowerManagementSwitches

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TOSHIBAFIELDEFFECTTRANSISTORSILICONPCHANNELMOSTYPE(U-MOS4)

NotebookPCApplications PortableEquipmentApplications ?Lowdrain-sourceONresistance:RDS(ON)=21m?(typ.) ?Highforwardtransferadmittance:|Yfs|=9.6S(typ.) ?Lowleakagecurrent:IDSS=?10μA(max)(VDS=?30V) ?Enhancementmode:Vth=?0.8to?2.0V(VDS=?10V,ID=?1mA

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東芝株式會(huì)社東芝

TPCF8104

TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconPChannelMOSType(U-MOS??

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東芝株式會(huì)社東芝

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
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原廠授權(quán)代理 價(jià)格絕對(duì)優(yōu)勢(shì)
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進(jìn)口原裝現(xiàn)貨/價(jià)格優(yōu)勢(shì)!
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百分百原裝正品 真實(shí)公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可
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原裝正品，支持實(shí)單
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更多SPHE8104PW供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-27 14:02:00

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