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SPD09P06PL	文件：230.78 Kbytes Page：8 Pages	SIPMOSPower-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
SPD09P06PL	文件：1.26144 Mbytes Page：9 Pages	SIPMOSPower-TransistorFeatureN-ChannelEnhancementmode	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
SPD09P06PLG	文件：950.25 Kbytes Page：4 Pages	P-channelEnhancementModePowerMOSFET Features VDS=-60V,ID=-30A RDS(ON)	BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司	Bychip
SPD09P06PLG	文件：580.79 Kbytes Page：9 Pages	SIPMOSPower-Transistor Feature ?P-Channel ?Enhancementmode ?LogicLevelprueb ?175°Coperatingtemperature ?Avalancherated ?dv/dtrated ?P-channel ?Enhancementmode ?LogicLevel ?175°Coperatingtemperature ?Avalancherated ?dv/dtrated ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant °Qualifiedaccord	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
SPD09P06PLG	文件：581.79 Kbytes Page：9 Pages	SIPMOSPower-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
SPD09P06PLG	文件：1.26144 Mbytes Page：9 Pages	SIPMOSPower-TransistorFeatureN-ChannelEnhancementmode	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
SPU09P06PL	文件：939.63 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
SPU09P06PL	文件：230.78 Kbytes Page：8 Pages	SIPMOSPower-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon

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