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SPD04N50C3分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
SPD04N50C3 |
| 參數(shù)屬性 | SPD04N50C3 包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)；產(chǎn)品描述：MOSFET N-CH 560V 4.5A DPAK |
| 功能描述 | Cool MOS Power Transistor |
| 文件大小 |
260.399 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
11 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Infineon Technologies AG |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
INFINEON【英飛凌】 |
| 中文名稱 | 英飛凌科技股份公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-7-18 22:59:00 |
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SPD04N50C3規(guī)格書詳情
SPD04N50C3屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的SPD04N50C3晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)分立式場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 廣泛用于功率轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、固態(tài)照明及其他應(yīng)用，它們具有高頻開關(guān)特性，同時(shí)又能承載大電流，使其在這些應(yīng)用中具備一定優(yōu)勢(shì)。這類晶體管廣泛應(yīng)用于要求額定電壓為幾百伏或更低的應(yīng)用，如果超出該額定電壓值，則 IGBT 等其他器件更具競(jìng)爭(zhēng)力。
Feature
? New revolutionary high voltage technology
? Ultra low gate charge
? Periodic avalanche rated
? Extreme dv/dt rated
? Ultra low effective capacitances
? Improved transconductance
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào)：
SPD04N50C3T
- 制造商：
Infineon Technologies
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)
- 包裝：
卷帶（TR）
- 描述：
MOSFET N-CH 560V 4.5A DPAK
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飛凌 |
24+ |
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INFINEON/英飛凌 |
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Infineon/英飛凌 |
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詢價(jià) |
