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SPD02N50C3中文資料微碧半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

SPD02N50C3
廠商型號

SPD02N50C3

功能描述

Power MOSFET

文件大小

1.07867 Mbytes

頁面數(shù)量

9

生產(chǎn)廠商 VBsemi Electronics Co.,Ltd
企業(yè)簡稱

VBSEMI微碧半導(dǎo)體

中文名稱

微碧半導(dǎo)體(臺灣)有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-7-19 23:00:00

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SPD02N50C3規(guī)格書詳情

FEATURES

? Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive

Requirement

? Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt

Ruggedness

? Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage

and Current

? Compliant to RoHS directive 2002/95/EC

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    SPD02N50C3

  • 功能描述:

    MOSFET COOL MOS N-CH 560V 1.8A

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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