首頁>SPB80N06S2L-H5>規(guī)格書詳情
SPB80N06S2L-H5中文資料英飛凌數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
| 廠商型號 |
SPB80N06S2L-H5 |
| 功能描述 | OptiMOS Power-Transistor |
| 文件大小 |
311.12 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
8 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | INFINEON |
| 中文名稱 | 英飛凌 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時(shí)間 | 2025-8-13 16:48:00 |
| 人工找貨 | SPB80N06S2L-H5價(jià)格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
產(chǎn)品屬性
- 型號：
SPB80N06S2L-H5
- 功能描述：
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
- RoHS：
否
- 類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列：
OptiMOS™
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點(diǎn)：
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
- 包裝：
管件
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飛凌 |
2022+ |
P-TO263-3 |
48000 |
只做原裝,原裝,假一罰十 |
詢價(jià) | ||
INFINEON/英飛凌 |
24+ |
TO263-3-2 |
20000 |
只做原廠渠道 可追溯貨源 |
詢價(jià) | ||
INFINEON/英飛凌 |
23+ |
TO-263 |
11200 |
原廠授權(quán)一級代理、全球訂貨優(yōu)勢渠道、可提供一站式BO |
詢價(jià) | ||
VBsemi |
24+ |
TO263 |
11000 |
原裝正品 有掛有貨 假一賠十 |
詢價(jià) | ||
INFINEON/英飛凌 |
23+ |
SOT263 |
9000 |
正規(guī)渠道原裝正品 |
詢價(jià) | ||
INFINEON |
24+ |
TO-263 |
90000 |
一級代理商進(jìn)口原裝現(xiàn)貨、假一罰十價(jià)格合理 |
詢價(jià) | ||
INFINEON |
24+ |
P-TO263-3 |
8866 |
詢價(jià) | |||
VBsemi |
25+ |
TO263 |
5020 |
詢價(jià) | |||
Infineon Technologies |
2022+ |
TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片 |
38550 |
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨(dú)立分銷 |
詢價(jià) | ||
INFINEON |
23+ |
TO-263 |
8000 |
只做原裝現(xiàn)貨 |
詢價(jià) |
